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二氧化硅反應(yīng)離子刻蝕原理 反應(yīng)離子刻蝕SiO2的反應(yīng)氣體主要為含氟基或氯基氣體;前者如CF4、CHF3、SF6、NF3等,后者如BCl3、Cl2等。反應(yīng)離子刻蝕SiO2時(shí),在輝光放電中分解出的氟原子或氯原子,與SiO2表面原子反應(yīng)生成氣態(tài)產(chǎn)物,達(dá)到刻蝕的目的。

Nov. 06, 2024

硅（si）的rie反應(yīng)離子刻蝕原理 反應(yīng)離子刻蝕硅通常使用帶氟或者帶氯的活性基團(tuán)的氣體,如SF6、CHF3、CF4等，刻蝕氣體在高頻電場(chǎng)的作用下,使氣體輝光放電產(chǎn)生等離子體,對(duì)被刻蝕物進(jìn)行離子轟擊和化學(xué)反應(yīng)，生成SiF4的揮發(fā)性氣體,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)硅的反應(yīng)離子刻蝕。

Nov. 05, 2024

二氧化硅（sio2）等離子體刻蝕原理 二氧化硅等離子刻蝕一般采用CF4、SF6等含氟氣體和氧氣作為刻蝕反應(yīng)氣體,通過等離子體源電離產(chǎn)生自由基等離子體,可以破壞硅基材料的化學(xué)鍵,從而發(fā)生了反應(yīng)并且與之結(jié)合產(chǎn)生揮發(fā)性物質(zhì)SiF4，達(dá)到刻蝕目的。

Nov. 01, 2024

氧等離子處理改善石墨烯氣凝膠的親水性 氧等離子體處理過程中，高能氧離子與石墨烯氣凝膠表面發(fā)生反應(yīng)，引入大量的含氧官能團(tuán)，如羥基（-OH）、羧基（-COOH）和羰基（-C=O）等。這些官能團(tuán)增加了材料表面的極性，從而提高了親水性。

Oct. 30, 2024

氫等離子體清洗BGA基板氧化物 利用氫氣等離子清洗的方式能有效地去除BGA基板表面的氧化物。該方法工藝簡(jiǎn)單,效果顯著,效率也很高,是清除BGA元器件和其他表面貼裝元器件氧化物的最佳方法。

Oct. 26, 2024

碳纖布O2等離子體氧化增強(qiáng)親水性 O2-等離子體處理作為一種快速、便捷、環(huán)境友好的氧化碳纖布的處理方法,引起了人們?cè)絹碓蕉嗟难芯颗d趣。O2-等離子體可以顯著改善纖維表面的浸潤(rùn)性,增強(qiáng)界面的結(jié)合性能,同時(shí)而不改變纖維本身的物理化學(xué)性質(zhì)。

Oct. 25, 2024