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我們?cè)谝话愎饪踢^(guò)程中不難發(fā)現(xiàn)（下圖1所示），整個(gè)光刻過(guò)程中都是圍繞著光刻膠來(lái)進(jìn)行的，但是光刻膠本身在微納米加工過(guò)程中只是媒介而已，在往往在圖形轉(zhuǎn)移后我們都是需要將光刻膠去除的，不同的圖形轉(zhuǎn)移工藝對(duì)應(yīng)的光刻膠特性也是不同的，去膠的工藝也會(huì)有很大的不同，例如，金屬剝離工藝中（lift-off）我們通常會(huì)選擇濕法去膠工藝，但是在干法刻蝕、離子注入、電鑄工藝后我們往往會(huì)選擇干法去膠或者濕法與干法結(jié)合來(lái)完成去膠。

圖1 去膠步驟與一般光刻工藝過(guò)程

除一些特殊的工藝中的光刻膠保留在結(jié)構(gòu)中外，其他的工藝過(guò)程之后需要去除光刻膠，濕法去膠操作簡(jiǎn)單便捷，幾乎沒(méi)有設(shè)備要求，在實(shí)驗(yàn)室更受歡迎，而在圖形轉(zhuǎn)移工藝之后，光刻膠不可避免的會(huì)受到溫度、離子注入等因素的影響導(dǎo)致光刻膠變得更加穩(wěn)定或者光刻膠變性導(dǎo)致無(wú)法使用濕法完成去膠。因此氧等離子去膠是微納加工中必要的基礎(chǔ)設(shè)備之一。

等離子打底膠工藝

打底膠工藝是指利用氧等離子體去除光刻顯影后結(jié)構(gòu)底部殘留的一層薄薄的底膠，這層底膠往往非常薄，但是盡管他非常薄但是也會(huì)導(dǎo)致后續(xù)蒸發(fā)的金屬與襯底之間無(wú)法形成歐姆接觸，甚至形成很大的接觸電阻，導(dǎo)致器件性能不佳。因此，為了提高器件的性能，必須減少接觸電極處的殘膠問(wèn)題，通常的解決思路是使用氧等離子體（Oxygenplasma）去膠的方法處理殘膠，如下圖2所示：

圖2 剝離工藝一般過(guò)程示意圖

氧等離子掃底膠原理

因?yàn)楣饪棠z通常都是有機(jī)物，氧等離子體是氧氣在真空環(huán)境下被電離后形成的，其可以將表面殘余的光刻膠氧化為二氧化碳、水以及其他可揮發(fā)性氣體等，具有操作簡(jiǎn)單、去膠效果好等優(yōu)點(diǎn)，如圖3所示：

圖3 氧等離子體去除殘膠示意圖

打底膠所需要去除的光刻膠層非常薄，所以不需要很長(zhǎng)的時(shí)間即可完成。等離子去膠是一種處理殘膠比較常見(jiàn)且有效的方式，很多半導(dǎo)體器件在處理殘膠時(shí)都會(huì)使用到氧等離子體打底膠。