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在以光電子、半導(dǎo)體等高技術(shù)為基礎(chǔ)的國(guó)防電子裝備制造領(lǐng)域，等離子表面清洗處理技術(shù)由于可以大幅度提高產(chǎn)品的可靠性得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，并且隨著現(xiàn)代高科技的需要而不斷發(fā)展應(yīng)用范圍和技術(shù)水平。其中微波等離子清洗設(shè)備更以其優(yōu)良的性能成為世紀(jì)國(guó)外軍事電子產(chǎn)品的主要生產(chǎn)裝置。微波等離子清洗工藝同時(shí)具有容易使用、維護(hù)及環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為提高產(chǎn)品可靠性和成品率的重要手段，是生產(chǎn)中不可缺少的步驟。在高可靠性要求的器件尤其是軍用器件生產(chǎn)過(guò)程中，微波等離子清洗機(jī)成為關(guān)鍵首選的設(shè)備。目前其應(yīng)用主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。

（1）半導(dǎo)體制造的前端工藝上，刻蝕和離子注入后的去光刻膠步驟是部件生產(chǎn)中最重要和最頻繁使用的一步。根據(jù)部件的復(fù)雜程度，線(xiàn)路的層數(shù)可以達(dá)到到層。這就意味著光刻膠也需要被脫除同樣的次數(shù)。微波等離子體清洗設(shè)備產(chǎn)生的等離子體對(duì)產(chǎn)品沒(méi)有損害，且相比射頻等離子體具有更高的除膠率。

（2）半導(dǎo)體工業(yè)后端，芯片的封裝變得越來(lái)越關(guān)鍵，穩(wěn)步增加的速度和集成電路的效率依賴(lài)于可靠的芯片封裝和最優(yōu)化的芯片封裝工藝。特別對(duì)于一些新技術(shù)如多芯片模塊或銅導(dǎo)線(xiàn)框架等，微波等離子體設(shè)備已被芯片封裝廠所廣泛采用。

（3）新型的半導(dǎo)體材料如、等越來(lái)越引起人們的重視。這些新型材料具有大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波長(zhǎng)發(fā)光及光電集成器件的理想材料。包括雷達(dá)、智能武器、電子對(duì)抗系統(tǒng)以及通信系統(tǒng)在內(nèi)的眾多軍事系統(tǒng)與民用產(chǎn)品的性能得到了極為明顯的改善。微波等離子清洗設(shè)備是目前采用代半導(dǎo)體材料如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）和氮化鎵（GaN）等為基礎(chǔ)的軍用混合集成電路和半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的關(guān)鍵設(shè)備，同時(shí)也是國(guó)外采用的代半導(dǎo)體材料如碳化硅氮化鎵材料制造器件的關(guān)鍵設(shè)備。

綜上所述，微波等離子清洗方式大大改善了傳統(tǒng)的清洗模式，在射頻等離子清洗的基礎(chǔ)上，性能更加優(yōu)越。在各種電敏感元器件及軍用半導(dǎo)體行業(yè)清洗工藝方面得到了廣泛的應(yīng)用，促進(jìn)了電子行業(yè)技術(shù)的發(fā)展。展望未來(lái)，微波等離子清洗技術(shù)的發(fā)展前景是美好的。