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自然界中物質存在的形態(tài)主要有氣態(tài)、固態(tài)、液態(tài)以及等離子態(tài)，其中等離子態(tài)是物質存在的一種最普遍形態(tài)。在我們所處的世界中，經常看到的流星、閃電以及點亮的熒光燈，它們其實都是物質的等離子態(tài)。等離子態(tài)一般也被稱作“超氣態(tài)”，與氣體有諸多相似之處，都具有流動性而沒有確定形狀和體積。等離子體與普通氣體對外都呈電中性，但普通氣體是由呈電中性的分子或原子組成，而等離子體則是由中性粒子（分子、原子、激發(fā)態(tài)粒子）與帶電粒子（正離子、負離子、電子）構成。

等離子刻蝕(plasma etching)，就是利用等離子體中各種電子、離子、游離基等活性粒子與被蝕刻材料發(fā)生物理或化學作用，生成揮發(fā)性的刻蝕產物，達到刻蝕材料的目的。按照刻蝕過程中發(fā)生的反應類型，可將等離子刻蝕原理劃分為三類：物理刻蝕、化學刻蝕、反應離子刻蝕。

（1）物理濺射刻蝕：

利用具有很高動能的離子（常見的如Ar+）撞擊基體材料表面，使材料表面原子脫落，而不與基體表面發(fā)生任何化學反應。該類型理論上可以刻蝕任何材料，但由于離子濺射是純物理過程所需能量巨大，刻蝕效果較差，且不具備選擇性。

（2）化學刻蝕：

利用等離子體中的各種活性例子與基體材料發(fā)生化學反應，然后生成易揮發(fā)性物質被帶離基體表面，完成刻蝕目的，化學刻蝕可以選擇性地去除特定材料。這種類型刻蝕速率較高、具有很好的各向同性，但各向異性較差。

（3）反應離子刻蝕（RIE）：

在刻蝕過程中既有物理濺射又有化學反應，二者相輔相成，化學反應形成的揮發(fā)性物質被濺射更易脫離基體表面。反應離子刻蝕兼顧了二者的優(yōu)點，刻蝕速率高，既有化學刻蝕的選擇性又有物理刻蝕的方向性，其方向性來自活性氣體離子在強電場中的運動方向唯一且垂直于樣品表面，而其選擇性則來自于化學反應的特異性，比單純地使用濺射刻蝕或者純化學刻蝕效果要好，應用較廣。